2023年5月24-26日，SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源(上海)大會暨展覽會，在上海新國際博覽中心如期開展。新葡京平臺微電子作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)先者，向來訪者展示了應(yīng)用于光伏、新能源的多款高性能功率？、高能效IGBT器件以及高功率SiC器件等產(chǎn)品和方案。本次展品主要聚焦三大亮點：一是新葡京平臺光伏儲能？椴罰是新葡京平臺光伏新能源IGBT器件產(chǎn)品方案，三是新葡京平臺SiC器件產(chǎn)品方案，吸引了大量現(xiàn)場客戶和觀眾駐足觀看和交流。
一、新葡京平臺光伏儲能模塊
新葡京平臺光伏儲能？椴罰橇斯ど桃、組串電站、儲能、集中式電站等領(lǐng)域，尤其在逆變器產(chǎn)品方面表現(xiàn)優(yōu)異。
1、工商業(yè)逆變器
推薦產(chǎn)品：逆變？椋↖NPC）——SGM450TL7D3TFD
? 使用場合：工商業(yè)逆變？，輸出功率125kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻650V IGBT，開關(guān)損耗。
? 封裝特性：采用新葡京平臺D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
2、組串電站逆變器
推薦產(chǎn)品：升壓？椋ǚ煽淶縟輇oost）——SGM400DCD10D3BTFD
? 使用場合：組串電站MPPT升壓，面板單路電流60A；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗。
? 封裝特性：采用新葡京平臺D3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
推薦產(chǎn)品：逆變？椋ˋNPC）——SGM400TL10A7BTFD
? 使用場合：組串電站逆變？椋涑齬β225kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗。
?封裝特性：采用新葡京平臺A7封裝，采用絕緣DBC直接散熱。
推薦產(chǎn)品：逆變？椋ˋNPC）——SGM600TL10D5TFD
? 使用場合：組串電站逆變模塊，輸出功率320kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻950V IGBT，開關(guān)損耗。
?封裝特性：采用新葡京平臺D5封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
3、儲能逆變器
推薦產(chǎn)品：逆變？椋↖NPC）——SGM225TL12D4DTFD
? 使用場合：儲能逆變？，輸出功率100kW；
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗。
? 封裝特性：采用新葡京平臺D4封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
4、集中式逆變器
推薦產(chǎn)品：逆變？椋ò肭牛——SGM800HF12A3TFD
? 使用場合：集中式逆變？椋
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗。啥嗖⒘τ茫
? 封裝特性：采用新葡京平臺A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
推薦產(chǎn)品：逆變模塊（半橋）——SGM800HF12B4TFD
? 使用場合：集中式逆變？椋
? 電氣特性：采用新葡京平臺5代中頻1200V IGBT，開關(guān)損耗小，可多并聯(lián)應(yīng)用；
?封裝特性：采用新葡京平臺A3封裝，采用絕緣DBC，銅基板散熱。
二、新葡京平臺IGBT器件產(chǎn)品方案
新葡京平臺IGBT器件產(chǎn)品，隨著8吋和12吋產(chǎn)能的建設(shè)，實現(xiàn)研發(fā)和工藝的顯著提升，其中FS5 Trench IGBT 量產(chǎn)，650V IGBT合封SiC SBD 量產(chǎn)，車規(guī)級IGBT 量產(chǎn)，12吋 IGBT 量產(chǎn)，并且新一代工藝的IGBT和大功率 IGBT產(chǎn)品研發(fā)工作也在順利推進(jìn)中。
三、新葡京平臺SiC器件產(chǎn)品方案
2022年，新葡京平臺在SiC器件產(chǎn)品的研發(fā)上取得了新的突破，650V SBD 研發(fā)成功，1200V SBD 研發(fā)成功，明鎵6吋SiC晶圓量產(chǎn)通線，第二代1200V SiC MOS 研發(fā)成功，參數(shù)性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。
光伏新能源應(yīng)用——新葡京平臺1200V 40mΩ SiC MOS
SCDP120R040NP4B 采用新葡京平臺微電子碳化硅技術(shù)制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效、高功率密度等特點。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
特點：
? 66A，1200V，RDS(on)(typ.)=40mΩ@VGS=15V
? 碳化硅技術(shù)
? 開關(guān)損耗低
? 低反向恢復(fù)電荷
? 降低散熱要求
? 100%雪崩測試
? 無鉛管腳鍍層
? 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
光伏新能源應(yīng)用——新葡京平臺1200V 30A SiC SBD
SCDP30S120P2 采用新葡京平臺微電子碳化硅外延工藝制造而成的肖特基整流二極管，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、不間斷和輔助電源、光伏逆變器等領(lǐng)域。
特點：
? 30A，1200V
? 零反向恢復(fù)電流
? 正溫度系數(shù)
? 低開關(guān)損耗
? 散熱要求低
四、現(xiàn)場掠影
新葡京平臺微電子利用自身在高壓智能功率？榧際、第三代功率半導(dǎo)體器件技術(shù)、綠色電源芯片技術(shù)等多個芯片設(shè)計領(lǐng)域的積累，以及不斷強化的工藝平臺開發(fā)能力，不斷提升的8吋/12吋硅圓片生產(chǎn)能力、先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，為光伏、新能源客戶提供優(yōu)質(zhì)的芯片產(chǎn)品系列和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案，助力產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。
