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隨著中國(guó)新能源汽車(chē)行業(yè)迅速發(fā)展，車(chē)載充電機(jī)(On-board Charger, OBC)應(yīng)用需求與日俱增。新葡京平臺(tái)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品為車(chē)載充電機(jī)提供更完善、更小型且更可靠的全套設(shè)計(jì)方案。

針對(duì)6.6kW OBC市場(chǎng)的應(yīng)用需求，Silan提供第五代IGBT產(chǎn)品用于前級(jí)各功率段PFC拓?fù)?，而Hybrid IGBT與SJ MOS適用于不同控制策略的更高頻率后級(jí)拓?fù)湫枨?，實(shí)現(xiàn)6.6kW OBC的小型化及高可靠性能。

更高功率段11kW OBC的汽車(chē)產(chǎn)品，Silan自主研發(fā)全新平臺(tái)碳化硅技術(shù)，更優(yōu)秀的開(kāi)關(guān)特性與更高的功率密度可以滿(mǎn)足高效率、高可靠性要求的11kW OBC應(yīng)用。低壓MOS則適用于配套高壓DC-DC電路，為輔助電池提供更高的充電功率，滿(mǎn)足更加豐富的智能座艙及影視娛樂(lè)需求。

Silan推出全新半橋形式？櫸庾埃℉SOP-8），貼片化安裝方式可極大程度優(yōu)化OBC設(shè)備體積，其擁有比分立封裝更優(yōu)越的散熱性能，滿(mǎn)足整機(jī)更大功率、更小體積和自動(dòng)化生產(chǎn)的需求。

方案拓?fù)?/div>

新葡京平臺(tái)車(chē)載充電器的硬件拓?fù)淙缦聢D，在各拓?fù)鋺?yīng)用中使用新葡京平臺(tái)IGBT、MOSFET方案。

OBC應(yīng)用方案架構(gòu)圖(2).png

方案產(chǎn)品

分立器件

功率段	拓?fù)浞诸?lèi)	產(chǎn)品分類(lèi)	典型產(chǎn)品型號(hào)	典型封裝	產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
6.6kW	PFC	50A/650V IGBT	SGTQ50V65UF1P7	TO-247-3L	SGTQ50V65UF1P7 說(shuō)明書(shū).pdf
	PFC/LLC	50A/650V IGBT+20A/650V SiC SBD	SGTQ50V65UFCR3P7	TO-247-3L	SGTQ50V65UFCR3P7 說(shuō)明書(shū).p df
	PFC	75A/650V IGBT	SGTQ75V65FDB1P7	TO-247-3L	SGTQ75V65FDB1P7 說(shuō)明書(shū).p df
	PFC/LLC	75A/650V IGBT	SGTQ75V65FDB2P7	TO-247-3L	SGTQ75V65FDB2P7 說(shuō)明書(shū).p df
	PFC	50A/650V IGBT	SGTQ50V65UF1S7	TO-263-7L	SGTQ50V65UF1S7 說(shuō)明書(shū).p df
	PFC/LLC	50A/650V IGBT+20A/650V SiC SBD	SGTQ50V65UFCR3S7	TO-263-7L	SGTQ50V65UFCR3S7 說(shuō)明書(shū).pdf
	PFC	40A/650V IGBT	SGTQ40V65SDB2S7	TO-263-7L	SGTQ40V65SDB2S7 說(shuō)明書(shū).pdf
	LLC	41mΩ/650V SJ-MOS	SVSQ65R041P7HD4	TO-247-3L
	LLC	80mΩ SiC MOS	SCDQ120R080NB2P4B	TO-247-4L
11kW	PFC/LLC	80mΩ SiC MOS	SCDQ120R080NB2P4B	TO-247-4L
	PFC	40mΩ SiC MOS	SCDQ120R040NB2P4B	TO-247-4L
	PFC	40A/1200V IGBT	SGTQ40T120SDB2P7	TO-247-3L	SGTQ40T120SDB2P7 說(shuō)明書(shū).pdf
	LLC	75A/650V IGBT	SGTQ75V65FDB2P7	TO-247-3L	SGTQ75V65FDB2P7 說(shuō)明書(shū).pdf
HV-DCDC	DC-DC Pri	110mΩ/650V SJ-MOS	SVSQ65R110P7HD4	TO-247-3L
	DC-DC Pri	80mΩ SiC MOS	SCDQ120R080NB2P4B	TO-247-4L
	DC-DC Sec	4.5mΩ/100V MOS	SVGQ104R5NATC	TO-220
		4.1mΩ/100V MOS	SVGQ104R1NL5S-2HS	PDFN5*6	SVGQ104R1NL5S-2HS 說(shuō)明書(shū).pdf
		1.5mΩ/100V MOS	SVGZ101R5NLQ-2HS	TOLL
		2.5mΩ/100V MOS	SVGQ102R5NLS-2HS	sTOLL	SVGQ102R5NLS-2HS 說(shuō)明書(shū).pdf
	Oring	1.3mΩ/40V MOS	SVGQ041R3NL5V-2HS	PDFN5*6	SVGQ041R3NL5V-2HS 說(shuō)明書(shū).pdf
		1.0mΩ/40V MOS	SVGQ041R0NL5V-2HS	PDFN5*6	SVGQ041R0NL5V-2HS 說(shuō)明書(shū).pdf
		1.0mΩ/40V MOS	SVGQ041R0NLP	LFPAK56	SVGQ041R0NLP 說(shuō)明書(shū).pdf

半橋？

功率段	拓?fù)浞诸?lèi)	產(chǎn)品分類(lèi)	典型產(chǎn)品型號(hào)	典型封裝	產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
6.6kW	PFC	75A/650V IGBT	SGMQ75V65HSFDB1	HSOP-8
	LLC	SGMQ75V65HSFDB1	SVMQ65R041HSHD4	HSOP-8
	DC-DC	110mΩ/650V SJ-MOS	SVMQ65R110HSHD4	HSOP-8

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